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FF150R12ME3G
停产
已停产
符合RoHS标准

FF150R12ME3G

停产
1200 V、150 A 半桥 IGBT 模块

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FF150R12ME3G
FF150R12ME3G

商品详情

  • IC(nom) / IF(nom)
    150 A
  • 最高 IC
    150 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    1.7 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    1.65 V
  • 封装
    EconoDUAL™ 3
  • 尺寸 (width)
    62 mm
  • 尺寸 (length)
    152 mm
  • 技术
    IGBT3 - E3
  • 特性
    Solder Pin
  • 最高 电压等级
    1200 V
  • 认证标准
    Industrial
  • 配置
    half-bridge
OPN
FF150R12ME3GBOSA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称 AG-ECONOD
封装名 N/A
封装尺寸 10
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称 AG-ECONOD
封装名 -
封装尺寸 10
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
EconoDUAL™ 3 1200 V、150 A 半桥 IGBT 模块,配有TRENCHSTOP™ IGBT3 和发射极控制的高效二极管。

特性

  • 轻松分离直流电和交流电
  • 优化热阻抗
  • 高功率密度
文档

设计资源

开发者社区

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