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符合RoHS标准

FF150R12W1T7E_B11

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1200 V、150 A 共发射极 IGBT 模块
数据手册

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FF150R12W1T7E_B11
FF150R12W1T7E_B11
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商品详情

  • IC(nom) / IF(nom)
    150 A
  • 最高 IC
    150 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    1.55 V
  • VCES / VRRM
    1200 V
  • VF
    1.72 V
  • 封装
    EasyPACK™ 1B
  • 尺寸 (length)
    62.8 mm
  • 尺寸 (width)
    33.8 mm
  • 技术
    TRENCHSTOP™IGBT7
  • 特性
    PressFIT
  • 最高 电压等级
    1200 V
  • 认证标准
    Industrial
  • 配置
    Common Emitter
推荐的
OPN
FF150R12W1T7EB11BPSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 AG-EASY1B
封装名 N/A
包装尺寸 24
包装类型 TRAY
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称 AG-EASY1B
封装名 -
包装尺寸 24
包装类型 TRAY
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
EasyDUAL™ 1B，1200 V，150 A 共发射极 IGBT 模块，使用TRENCHSTOP™ IGBT T7、EC7、压接引脚，配备温度检测 NTC。

特性

  • 高度仅12毫米的Easy系列
  • 极低杂散电感
  • 过载能力，结温最高可达175°C
  • 压接引脚

产品优势

  • 设计简便
  • 功率密度提升
  • 性价比优越

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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