FF200R12KT3_E
不建议用于新设计
符合RoHS标准
无铅

FF200R12KT3_E

1200 V、200 A 共发射极 IGBT 模块
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FF200R12KT3_E
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商品详情

  • IC(nom) / IF(nom)
    200 A
  • 最高 IC
    200 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    1.7 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    1.65 V
  • 封装
    62 mm
  • 尺寸 (length)
    106.4 mm
  • 尺寸 (width)
    61.4 mm
  • 技术
    IGBT3 - T3
  • 拓扑结构
    Common Emitter
  • 特性
    Phase leg
  • 最高 电压等级
    1200 V
  • 质量等级
    Industrial

OPN
FF200R12KT3EHOSA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称 AG-62MMHB
封装名 N/A
封装尺寸 10
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
封装产地
HU
晶圆产地
AT
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产品状态 not for new design
英飞凌封装名称 AG-62MMHB
封装名 -
封装尺寸 10
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
HU
晶圆产地
AT
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62 毫米 1200 V、200 A 共发射极 IGBT 模块，带有快速沟槽/场截止 IGBT3。结合我们的 1200 V 62 毫米双模块，可以实现 3 级相臂配置（例如FF200R12KT3）。

特性

  • 对于频率。控制。逆变器驱动器
  • UL/CSA 认证。符合 UL1557 E83336
  • Tvj op 高达 125 °C（最高 150 °C）
  • 优化的开关特性
  • 具有更高电流能力的封装。
  • 符合 RoHS 标准
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