FF3MR12KM1H_S
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

FF3MR12KM1H_S

62mm CoolSiC™ MOSFET 半桥模块 1200 V 共源拓扑
数据手册

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FF3MR12KM1H_S
FF3MR12KM1H_S
数据手册

  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    2.9 mΩ
  • 封装
    62 mm
  • 尺寸 (length)
    106.4 mm
  • 尺寸 (width)
    61.4 mm
  • 应用
    SSCB, UPS, Solar, EV Charger, ESS
  • 拓扑结构
    Half-bridge
  • 推出年份
    2025
  • 特性
    Common Source
  • 质量等级
    Industrial

推荐的
OPN
FF3MR12KM1HSHPSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 AG-62MMHB
封装名 N/A
封装尺寸 10
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
封装产地
HU
晶圆产地
AT

产品状态
Active
英飞凌封装名称 AG-62MMHB
封装名 -
封装尺寸 10
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
HU
晶圆产地
AT
62 毫米CoolSiC™ MOSFET 半桥模块 1200 V，3 mOhm RDS(on) ) 采用众所周知的 62 毫米外壳，并结合了 M1H 芯片技术。现在还提供通用源配置

特性

  • 坚固耐用的集成体二极管，从而实现最佳散热条件
  • 对湿度具有极高的耐受性
  • 优异的栅极氧化层可靠性
  • 高宇宙射线鲁棒性
  • 通用源配置

产品优势

  • Optimized use under demanding conditions
  • Lower voltage overshoot
  • Minimized conduction losses
  • High speed switching with very low losses
  • Symmetrical module design and switching behavior of upper and lower switch
  • Standard module construction technique secures known reliable
  • Production in the 62mm high volume production line

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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