FF400R07KE4
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

FF400R07KE4

650 V、400 A 半桥 IGBT 模块

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FF400R07KE4
FF400R07KE4


商品详情

  • IC(nom) / IF(nom)
    400 A
  • 最高 IC
    400 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    1.55 V
  • VCES / VRRM
    650 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    1.55 V
  • 封装
    62 mm
  • 尺寸 (width)
    61.4 mm
  • 尺寸 (length)
    106.4 mm
  • 技术
    IGBT4 - E4
  • 拓扑结构
    half-bridge
  • 最高 电压等级
    650 V
  • 质量等级
    Industrial

推荐的
OPN
FF400R07KE4HOSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 AG-62MMHB
封装名 N/A
封装尺寸 10
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
封装产地
HU
晶圆产地
MY

产品状态
Active
英飞凌封装名称 AG-62MMHB
封装名 -
封装尺寸 10
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
HU
晶圆产地
MY
62 mm 1200 V、450 A 双 IGBT 模块，带TRENCHSTOP™ IGBT7 和反偏二极管。

特性

  • Incr. Blocking volt.capab。< 650 V
  • 扩展运行温度。Tvj op
  • 高电流密度
  • 2.5 kV 交流1分钟绝缘
  • CTI 封装> 400
  • 高爬电距离和间隙距离
  • 绝缘的基板
  • 标准外壳
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