现货，推荐
符合RoHS标准

FF450R33T3E3_B5

3300 V、450 A 双IGBT模块
数据手册

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FF450R33T3E3_B5
FF450R33T3E3_B5
数据手册

商品详情

  • IC(nom) / IF(nom)
    450 A
  • IC max
    450 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    2.55 V
  • VCES / VRRM
    3300 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    3.1 V
  • Housing
    XHP™ 3
  • Dimensions (width)
    99.8 mm
  • Dimensions (length)
    140 mm
  • Technology
    IGBT3 - E3
  • Features
    10.4kV isolation, Phase leg
  • Voltage Class max
    3300 V
  • Qualification
    Industrial, Traction
  • Configuration
    half-bridge
受到推崇的
OPN
FF450R33T3E3B5BPSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 AG-XHP3K33
封装名 N/A
包装尺寸 1
包装类型 TRAY
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称 AG-XHP3K33
封装名 -
包装尺寸 1
包装类型 TRAY
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
XHP ™ 3 3300 V、450 A 双 IGBT 模块，配备 TRENCHSTOP ™ IGBT3、发射极控制二极管，并具有 10.4 kV 增强隔离。

特性

  • 高直流稳定性
  • 低 VCEsat
  • 延长存储温度
  • *低至 T(stg) = -55°C
  • 封装 CTI > 600
  • 封装绝缘 10.4 kV AC 1min
  • Tvj op=150°C
  • AlSiC 基板
  • 增强的 TC 能力
  • 防火和烟雾 EN45545 R22、R23：HL3
  • 模块化概念
  • 半桥配置

产品优势

  • 标准化外壳：100x140x40 毫米
  • 数十年的现场经验
  • 使用寿命长
  • 实现简洁的电气设计
  • 实现简洁的机械设计
  • 轻松设置 3 级 NPC1 拓扑
  • 轻松设置并联
  • 以更小的步骤进行扩展
  • 一种类型适用于各种功率级别
  • 更顺畅的供应链处理
  • 实现系统级缩小尺寸
  • 更少的 EMI 问题

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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