FF600R12KE4
现货，推荐
符合RoHS标准

FF600R12KE4

1200 V、600 A 半桥 IGBT 模块
数据手册

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FF600R12KE4
FF600R12KE4
数据手册


商品详情

  • IC(nom) / IF(nom)
    600 A
  • 最高 IC
    600 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    1.75 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    1.85 V
  • 封装
    62 mm
  • 尺寸 (length)
    106.4 mm
  • 尺寸 (width)
    61.4 mm
  • 技术
    IGBT4 - E4
  • 拓扑结构
    half-bridge
  • 最高 电压等级
    1200 V
  • 质量等级
    Industrial

推荐的
OPN
FF600R12KE4BOSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 AG-62MMHB
封装名 N/A
封装尺寸 10
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
封装产地
HU
晶圆产地
AT,DE,MY

产品状态
Active
英飞凌封装名称 AG-62MMHB
封装名 -
封装尺寸 10
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
HU
晶圆产地
AT,DE,MY
62毫米1200V/600A双路低饱和压降快开沟槽型IGBT模块，搭载TRENCHSTOP™第七代IGBT与发射极控制二极管也可作为具有公共发射极的变体： FF600R12KE4_E 。

特性

  • Tvj op = 150°C
  • 电气、电子设备中限制使用某些有害物质指令合规
  • 4 kV交流1分钟绝缘
  • 采用CTI封装> 400
  • 高爬电距离和间隙
  • UL/CSA 认证。 符合 UL1557 E83336
文档

设计资源

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