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符合RoHS标准

FF600R12KE4

1200 V、600 A 双IGBT模块
数据手册
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每件.
有存货

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FF600R12KE4
FF600R12KE4
每件.
数据手册

商品详情

  • IC(nom) / IF(nom)
    600 A
  • IC max
    600 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    1.75 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    1.85 V
  • Housing
    62 mm
  • Dimensions (length)
    106.4 mm
  • Dimensions (width)
    61.4 mm
  • Technology
    IGBT4 - E4
  • Voltage Class max
    1200 V
  • Qualification
    Industrial
  • Configuration
    half-bridge
受到推崇的
OPN
FF600R12KE4BOSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 AG-62MMHB
封装名 N/A
包装尺寸 10
包装类型 TRAY
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称 AG-62MMHB
封装名 -
包装尺寸 10
包装类型 TRAY
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
62 毫米 1200 V、600 A 双低饱和&快速沟槽 IGBT 模块，带有 TRENCHSTOP ™ IGBT4 和发射极控制二极管。也可提供具有共发射极的变体：FF600R12KE4_E。

特性

  • Tvj op = 150°C
  • 符合 RoHS 标准
  • 4 kV AC 1 分钟绝缘
  • 带有 CTI 的封装 > 400
  • 高爬电距离和间隙距离
  • UL/CSA 认证。符合 UL1557 E83336

文档

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设计资源

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