FF600R12ME4_B11
不建议用于新设计
符合RoHS标准

FF600R12ME4_B11

1200 V、600 A 半桥 IGBT 模块
数据手册
评估板

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FF600R12ME4_B11
FF600R12ME4_B11
数据手册

商品详情

  • IC(nom) / IF(nom)
    600 A
  • 最高 IC
    600 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    1.75 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    1.65 V
  • 封装
    EconoDUAL™ 3
  • 尺寸 (length)
    152 mm
  • 尺寸 (width)
    62 mm
  • 技术
    IGBT4 - E4
  • 特性
    PressFIT
  • 最高 电压等级
    1200 V
  • 认证标准
    Industrial
  • 配置
    half-bridge
OPN
FF600R12ME4B11BPSA2
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称 AG-ECONOD
封装名 N/A
封装尺寸 10
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称 AG-ECONOD
封装名 -
封装尺寸 10
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
EconoDUAL™ 3 1200 V、600 A 半桥 IGBT 模块，采用TRENCHSTOP™ IGBT4、反偏二极管、NTC 和 PressFIT 压接技术。 另有采用热接口材料或焊接连接技术的型号可选： FF600R12ME4 。如需高功率密度，请查看采用最新TRENCHSTOP™ IGBT7 技术的FF900R12ME7_B11 。

特性

  • 低电平 VCEsat
  • Tvj op = 150°C
  • VCEsat，带 TB 温度。
  • 高功率密度
  • 绝缘的基板
  • 标准外壳
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