FF650R17IE4V
不建议用于新设计
符合RoHS标准

FF650R17IE4V

1700 V、650 A 半桥 IGBT 模块
数据手册
评估板

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FF650R17IE4V
FF650R17IE4V
数据手册

商品详情

  • IC(nom) / IF(nom)
    650 A
  • 最高 IC
    650 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    2 V
  • VCES / VRRM
    1700 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    1.85 V
  • 封装
    PrimePACK™ 2
  • 尺寸 (width)
    89 mm
  • 尺寸 (length)
    172 mm
  • 技术
    IGBT4 - E4
  • 最高 电压等级
    1700 V
  • 认证标准
    Industrial
  • 配置
    half-bridge
OPN
FF650R17IE4VBOSA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称 AG-PRIME2
封装名 N/A
封装尺寸 3
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称 AG-PRIME2
封装名 -
封装尺寸 3
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
PrimePACK™ 2 1700 V、650 A 半桥 IGBT 模块专为工程、工程和农用车辆应用而开发。 包括TRENCHSTOP™ IGBT4、NTC 和快速开关芯片。

特性

  • 抗震能力高达 15g
  • 扩展工作温度。Tvj op
  • 高直流稳定性
  • 高电流密度
  • 低开关损耗
  • Tvj op = 150°C
  • 低浓度VCEsat
  • 封装带CTI > 400
  • 高爬电距离和间隙距离
  • 高循环能力
  • 铜基板
  • UL 认可

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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