FF750R17ME7D_B11
现货，推荐
符合RoHS标准

FF750R17ME7D_B11

1700 V、750 A 半桥 IGBT 模块
数据手册

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FF750R17ME7D_B11
FF750R17ME7D_B11
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商品详情

  • IC(nom) / IF(nom)
    750 A
  • 最高 IC
    750 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    1.7 V
  • VCES / VRRM
    1700 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    2.35 V
  • 封装
    EconoDUAL™ 3
  • 尺寸 (width)
    62 mm
  • 尺寸 (length)
    152 mm
  • 技术
    IGBT7 - E7
  • 特性
    Enlarged Diode, PressFIT
  • 最高 电压等级
    1700 V
  • 认证标准
    Industrial
  • 配置
    half-bridge
推荐的
OPN
FF750R17ME7DB11BPSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 AG-ECONOD
封装名 N/A
封装尺寸 10
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称 AG-ECONOD
封装名 -
封装尺寸 10
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
EconoDUAL™ 3 1700 V、750 A 半桥TRENCHSTOP™ IGBT7 模块，具有放大发射极控制的 7 二极管、NTC 和 PressFIT 压接技术。

特性

  • 低电平VCEsat
  • 放大的电位
  • 降低电位的VF和RthJC
  • Tvj op = 175°C 过载
  • 优化开关传输
  • 增强dv/dt的可控性
  • 改善电位柔软度和Erec
  • 增强漫画射线鲁棒性
  • 改进端子
  • 压接控制引脚
  • 集成NTC温度传感器
  • 绝缘的模块
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