现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

FF800R12KE7P_E

1200 V、800 A 公共发射极 IGBT 模块，带预涂热界面材料
数据手册
每件.
有存货

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FF800R12KE7P_E
FF800R12KE7P_E
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商品详情

  • IC(nom) / IF(nom)
    800 A
  • 最高 IC
    800 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    1.5 V
  • VCES / VRRM
    1200 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    1.8 V
  • 封装
    62 mm
  • 尺寸 (width)
    61.4 mm
  • 尺寸 (length)
    106.4 mm
  • 技术
    IGBT7 - E7
  • 特性
    TIM
  • 最高 电压等级
    1200 V
  • 认证标准
    Industrial
  • 配置
    half-bridge
推荐的
OPN
FF800R12KE7PEHPSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 AG-62MMHB
封装名 N/A
包装尺寸 8
包装类型 TRAY
湿度 N/A
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称 AG-62MMHB
封装名 -
包装尺寸 8
包装类型 TRAY
湿度 -
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
62毫米1200V/800A共发射极低饱和压降快开沟槽型IGBT模块，搭载TRENCHSTOP™第七代IGBT与发射极控制二极管

特性

功率密度超高、业界最优饱和压降、结温工作温度175℃支持过载、爬电距离与电气间隙更大、底板绝缘设计、标准封装外壳、符合RoHS环保标准、交流4千伏1分钟绝缘耐压、封装相比漏电起痕指数＞400、具备UL/CSA认证符合 UL1557 E83336

产品优势

电流能力更强，适用于三电平拓扑的NPC2拓扑，功率密度超高，无需IGBT模块并联，降低系统成本，可靠性优异

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }