现货，推荐
符合RoHS标准

FM22L16-55-TGTR

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

FM22L16-55-TGTR
FM22L16-55-TGTR
数据手册

商品详情

  • 密度
    4 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 系列
    Parallel FRAM
  • 组织(X x Y)
    256Kb x 16
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    55 ns
推荐的
OPN
FM22L16-55-TGTR
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
FM22L16-55-TGTR是一款4-Mbit（256K × 16）非易失性铁电RAM（F-RAM），采用44引脚TSOP II封装，访问时间为55 ns，兼容SRAM。工作电压2.7 V至3.6 V，温度范围–40°C至+85°C，典型工作电流8 mA，待机电流90 μA。具备100万亿次读写耐久性，65°C下数据保存长达151年，消除电池备份SRAM的可靠性问题。支持块写保护、低功耗睡眠模式，符合RoHS标准，适用于关键应用。

特性

  • 4-Mbit F-RAM，256K x 16结构
  • 100万亿次读写耐久性
  • 65°C下151年数据保持
  • NoDelay™写入，SRAM兼容时序
  • 55 ns访问，110 ns周期
  • 页模式，25 ns页访问
  • 软件可编程块写保护
  • 低功耗：8 mA工作，90 μA待机
  • 睡眠模式电流5 μA
  • 低电压：2.7 V至3.6 V
  • 输入/输出漏电流±1 μA
  • 工业温度：–40°C至+85°C

产品优势

  • 实现即时可靠数据存储
  • 免除电池备份维护
  • 151年数据保持确保长期安全
  • 高频写入应用无忧
  • 可直接替换标准SRAM
  • 快速访问提升系统性能
  • 页模式提升数据吞吐量
  • 灵活软件保护数据安全
  • 有效降低系统功耗
  • 睡眠模式延长电池寿命
  • 适用于低电压系统
  • 工业环境下可靠运行

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }