现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

FM24CL64B-G

高密度 64kBit I²C F-RAM 存储器模块 | 1MHz，-40 至 85°C，纯锡涂层
数据手册
封装
每件.
有存货

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

FM24CL64B-G
FM24CL64B-G
每件.
数据手册

商品详情

  • Density
    64 kBit
  • Peak Reflow Temp
    260 °C
  • Operating Temperature
    -40 °C to 85 °C
  • Operating Voltage
    2.7 V to 3.6 V
  • Operating Voltage (VCCQ)
    2.7 V to 3.6 V
  • Lead Ball Finish
    Pure Sn
  • Interfaces
    I2C
  • Organization (X x Y)
    8Kb x 8
  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Qualification
    Industrial
  • Speed
    0 ns
  • Frequency
    1 MHz
受到推崇的
OPN
FM24CL64B-G
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
包装尺寸 2910
包装类型 TUBE
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
包装尺寸 2910
包装类型 TUBE
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
FM24CL64B-G 是一款采用先进铁电技术的高性能 64 Kbit 非易失性存储器。它具有长达 121 年的可靠数据保留和总线速度写入操作，其性能优于 EEPROM，可提供 1013 次循环的相当长的写入耐久性。该内存非常适合数据记录和工业控制等应用中的频繁或快速写入，它提供高效的数据存储，并且在写入期间具有较低的功耗。

特性

  • 64 Kbit F-RAM 逻辑组织为 8 K × 8
  • 高耐用性，10 万亿 (1013) 次读/写
  • NoDelay ™写入
  • 先进的高可靠性铁电工艺
  • 快速两线串行接口 (I2C)
  • 低功耗
  • 符合 AEC Q100 1 级标准

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }