FM24CL64B-G
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

FM24CL64B-G

高密度 64kBit I²C F-RAM 存储器模块 | 1MHz，-40 至 85°C，纯锡涂层
数据手册
封装

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FM24CL64B-G
FM24CL64B-G
数据手册

商品详情

  • 密度
    64 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    I2C
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    8Kb x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    1 MHz
推荐的
OPN
FM24CL64B-G
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 2910
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 2910
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
FM24CL64B-G是一款64 Kbit汽车级F-RAM，具备高耐久I2C接口，支持高达10万亿次读写循环和121年数据保持。工作电压为3.0 V至3.6 V，温度范围–40°C至+125°C，支持NoDelay™总线速度写入，低功耗，可直接替换串行EEPROM。符合AEC-Q100 Grade 1和RoHS标准，适用于需要频繁写入的数据记录和工业控制应用。

特性

  • 64 Kbit铁电随机存取存储器
  • 8 K × 8逻辑结构
  • 10^13次读写耐久性
  • 85°C下121年数据保持
  • NoDelay™瞬时写入技术
  • I2C串行接口最高1 MHz
  • 100 kHz时120 μA低工作电流
  • 85°C下6 μA低待机电流
  • VDD工作电压3.0 V至3.6 V
  • –40°C至+125°C数据完整性
  • 写保护引脚（WP）
  • 可直接替换串行EEPROM

产品优势

  • 高频写入下可靠非易失存储
  • 消除写入延迟实现即时更新
  • 10^13次循环延长产品寿命
  • 121年数据保存确保安全
  • 低功耗降低系统能耗
  • I2C 1 MHz实现高速通信
  • 宽温支持恶劣环境
  • 直接替换简化升级
  • 写保护防止误操作
  • 写入后无需数据轮询
  • 高耐久性减少维护
  • 电压范围内性能稳定
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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