FM25L16B-DG
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

FM25L16B-DG

数据手册
封装

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FM25L16B-DG
FM25L16B-DG
数据手册


商品详情

  • Frequency
    20 MHz
  • 密度
    16 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    SPI
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    2Kb x 8
  • 质量等级
    Industrial
  • 速度
    0 ns

推荐的
OPN
FM25L16B-DG
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-WSON-8
封装名 DFN-8 (001-85260)
封装尺寸 1620
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
TH
晶圆产地
US

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-WSON-8
封装名 DFN-8 (001-85260)
封装尺寸 1620
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
TH
晶圆产地
US
FM25L16B-DG是一款16 Kbit（2K × 8）串行铁电随机存取存储器（F-RAM），支持高达20 MHz的SPI接口。其读写耐久度达100万亿次，65°C下数据保存151年，适用于频繁非易失性写入。工作电压2.7 V至3.6 V，温度范围-40°C至+85°C，具备NoDelay™写入、先进写保护及3 μA待机低功耗。8引脚DFN封装，符合RoHS标准，是工业和控制系统中串行EEPROM和闪存的可靠替代方案。

特性

  • 16 Kbit铁电RAM，2K x 8结构
  • 100万亿次读写耐久性
  • 65°C下151年数据保持
  • NoDelay™瞬时写入无延迟
  • SPI接口最高20 MHz
  • 支持SPI模式0和3
  • 硬件和软件写保护
  • 1/4、1/2、全阵列块保护
  • 低功耗：200 μA工作，3 μA待机
  • 工作电压2.7 V至3.6 V
  • 工业温度：–40°C至+85°C
  • 输入/输出电容最大6/8 pF

产品优势

  • 关键数据可靠非易失存储
  • 消除写入延迟，操作更快
  • 高耐久性支持频繁数据记录
  • 151年数据保持防止丢失
  • 可直接替换串行EEPROM/闪存
  • 20 MHz SPI实现高速访问
  • 灵活保护防止误写
  • 低功耗延长电池/设备寿命
  • 宽电压适用多种设计
  • 恶劣环境下可靠运行
  • 标准SPI便于集成
  • 小电容支持快速信号
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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