FM28V100-TGTR
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

FM28V100-TGTR

数据手册
封装

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FM28V100-TGTR
FM28V100-TGTR
数据手册

商品详情

  • 密度
    1 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2 V 至 3.6 V
  • 工作电压 范围
    2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 系列
    Parallel FRAM
  • 组织(X x Y)
    128Kb x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    60 ns
推荐的
OPN
FM28V100-TGTR
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-32
封装名 STSOP-32 (001-91156)
封装尺寸 1500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-32
封装名 STSOP-32 (001-91156)
封装尺寸 1500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
FM28V100-TGTR是一款1-Mbit（128K × 8）并行F-RAM，采用32引脚TSOP I封装，具备100万亿次读写耐久性和65°C下151年数据保持。工作电压2.0 V至3.6 V，温度范围–40°C至+85°C，访问时间60 ns，周期90 ns。典型工作电流7 mA，待机电流90 μA，符合RoHS标准，抗冲击和振动，适用于频繁或快速更新的非易失存储应用。

特性

  • 1-Mbit非易失性F-RAM，128K×8结构
  • 100万亿次读写耐久性
  • 65°C下151年数据保持
  • NoDelay™写入，类SRAM操作
  • 页模式，30 ns周期时间
  • 60 ns访问，90 ns周期时间
  • 标准128K×8 SRAM引脚排列
  • 低功耗：7 mA工作，90 μA待机
  • 低电压：2.0 V至3.6 V
  • 优异的防潮抗震抗冲击性能
  • 真正表贴安装方案
  • 先进铁电工艺

产品优势

  • 免除电池备份SRAM问题
  • 超150年可靠数据存储
  • 写入快速无延迟
  • 可直接替换标准SRAM
  • 适应恶劣环境
  • 降低系统功耗
  • 安装无需返工
  • 高频数据记录高耐久
  • 兼容现有SRAM设计
  • 断电数据不丢失
  • 简化系统设计无需电池
  • 宽电压下性能稳定

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区