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符合RoHS标准

FM28V102A-TG

数据手册
封装

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FM28V102A-TG
FM28V102A-TG
数据手册

商品详情

  • 密度
    1 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2 V 至 3.6 V
  • 工作电压 范围
    2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    NiPdAuAg
  • 接口
    Parallel
  • 系列
    Parallel FRAM
  • 组织(X x Y)
    64Kb x 16
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    60 ns
推荐的
OPN
FM28V102A-TG
产品状态 active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
包装尺寸 135
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
包装尺寸 135
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
FM28V102A-TG是一款1-Mbit（64 K × 16）铁电随机存储器（F-RAM），具备SRAM兼容速度和接口，提供非易失性存储。访问时间60 ns，耐受100万亿次读写，65°C下数据可保存151年。工作电压2.0 V至3.6 V，低功耗，44引脚TSOP-II封装。符合RoHS标准，适用于无电池、频繁写入的应用。

特性

  • 1-Mbit F-RAM，64 K × 16结构
  • 100万亿次读写耐久性
  • 65°C下151年数据保持
  • NoDelay™即时非易失写入
  • 页模式操作，30ns周期
  • 标准并行SRAM接口
  • 7 mA工作，120 μA待机，3 μA休眠
  • VDD工作电压2.0至3.6 V
  • 60ns访问，90ns周期（SRAM）
  • 休眠模式极低功耗
  • 单片无电池高可靠性
  • 优异抗震、防潮性能

产品优势

  • 断电后数据不丢失
  • 适合频繁快速数据记录
  • 无需电池或刷新
  • 可直接替换SRAM
  • 快速写入提升系统性能
  • 低功耗延长电池寿命
  • 标准SRAM易集成
  • 恶劣环境下高可靠性
  • 长期数据完整性
  • 无需写入等待
  • 降低维护与物料成本
  • 读写速度一致

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }