FP200R12N3T7_B11
现货,推荐
符合RoHS标准

FP200R12N3T7_B11

1200 V、200 A PIM IGBT模块

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FP200R12N3T7_B11
FP200R12N3T7_B11
  • IC(nom) / IF(nom)
    200 A
  • 最高 IC
    200 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    1.55 V
  • VCES / VRRM
    1200 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    1.72 V
  • 封装
    EconoPIM™ 3
  • 尺寸 (length)
    122 mm
  • 尺寸 (width)
    62 mm
  • 技术
    IGBT7 - T7
  • 特性
    PressFIT
  • 最高 电压等级
    1200 V
  • 认证标准
    Industrial
  • 配置
    PIM
OPN
FP200R12N3T7B11BPSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 AG-ECONO3B
封装名 N/A
封装尺寸 10
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称 AG-ECONO3B
封装名 -
封装尺寸 10
封装类型 TRAY
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
EconoPIM ™ 3 1200 V、200 A 三相 PIM IGBT 模块,采用 TRENCHSTOP ™ IGBT7、发射极控制 7 二极管和 NTC 和 PressFIT 接触技术。集成整流器和制动斩波器的 PIM(功率集成模块)可节省系统成本。也可提供采用焊接接触安装技术的变体。

特性

  • TRENCHSTOP ™ IGBT7
  • 低 VCEsat 和低开关损耗
  • 过载运行温度高达 175 °C
  • 2.5 kV AC 1min 绝缘
  • 高可靠性和功率密度
  • 铜基板
  • 优化的散热
  • 焊接接触技术
  • 符合 RoHS 标准
文档

设计资源

开发者社区

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