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微控制器
32 位 TRAVEO™ T2G Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
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每件.
有存货
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FP50R06W2E3
每件.
商品详情
-
IC(nom) / IF(nom)50 A
-
IC max50 A
-
VCE(sat) (Tvj=25°C typ)1.45 V
-
VCES / VRRM600 V
-
VF (Tvj=25°C typ)1.55 V
-
封装EasyPIM™ 2B
-
尺寸 (length)56.7 mm
-
尺寸 (width)48 mm
-
技术IGBT3 - E3
-
电压等级 max600 V
-
认证标准Industrial
-
配置PIM
| 推荐的 | ||
|
OPN
|
FP50R06W2E3BOMA1 | |
| 产品状态 | active and preferred | |
| 英飞凌封装名称 | AG-EASY2B | |
| 封装名 | N/A | |
| 包装尺寸 | 15 | |
| 包装类型 | TRAY | |
| 湿度 | 1 | |
| 防潮包装 | NON DRY | |
| 无铅 | No | |
| 无卤素 | No | |
| 符合RoHS标准 | Yes | |
|
Infineon stock last updated:
|
每件. 有存货 | |
|
|
||
|
|
||
|
|
| 产品状态 |
Active
|
|---|---|
| 英飞凌封装名称 | AG-EASY2B |
| 封装名 | - |
| 包装尺寸 | 15 |
| 包装类型 | TRAY |
| 湿度 | 1 |
| 防潮包装 | NON DRY |
| 无铅 | |
| 无卤素 | |
| 符合 RoHS 标准 | |
每件.
有存货
EasyPIM ™ 2B 600 V、50 A IGBT 模块，配备沟槽/场截止 IGBT3、发射极控制 3 二极管和 NTC。另有采用 PressFIT 安装技术的版本：FP50R06W2E3_B11
特性
- 低开关损耗
- 沟槽 IGBT3
- VCEsat具有正温度。系数。
- 低 VCEsat
- Al2O3 基板
- 紧凑设计
- 焊接接触技术
- 坚固的安装
- 集成安装夹具