不建议用于新设计
符合RoHS标准

FZ1200R33HE3

3300 V、1200 A 单开关 IGBT 模块
数据手册

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FZ1200R33HE3
FZ1200R33HE3
数据手册

商品详情

  • IC(nom) / IF(nom)
    1200 A
  • IC max
    1200 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    2.7 V
  • VCES / VRRM
    3300 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    3.25 V
  • Housing
    IHV B
  • Dimensions (length)
    190 mm
  • Dimensions (width)
    140 mm
  • Technology
    IGBT3 - E3
  • Voltage Class max
    3300 V
  • Qualification
    Industrial, Traction
  • Configuration
    Single switch
OPN
FZ1200R33HE3BPSA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称 AG-IHVB190
封装名 N/A
包装尺寸 1
包装类型 TRAY
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称 AG-IHVB190
封装名 -
包装尺寸 1
包装类型 TRAY
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IHV-B 3300 V、1200 A 190 毫米单开关 IGBT 模块，带有 TRENCHSTOP ™ IGBT3 和发射极控制 3 二极管。也可采用 IHV-A 封装：FZ1200R33KF2C

特性

  • 高直流稳定性
  • 数十年的现场经验
  • 低开关损耗
  • 低 VCEsat
  • Tvj op=150°C
  • 采用 AlN 基板的 AlSiC 基板
  • 可提高热循环性能
  • 防火防烟 EN45545 R22、R23 : HL3
  • CTI > 600 的封装

产品优势

  • 标准化外壳：190x140x38 毫米
  • 数十年的现场经验
  • 使用寿命长
  • 抗过载和故障
  • 低 FIT 率
  • UL 认证
  • 备注：
  • 不推荐用于新设计
  • 替代方案为 FZ1200R33HE4D_B9

图表

IHM-IHV
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