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符合RoHS标准

FZ1200R45HL4_B8

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1200 V、35 A 单IGBT模块
数据手册

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FZ1200R45HL4_B8
FZ1200R45HL4_B8
数据手册

商品详情

  • IC(nom) / IF(nom)
    1200 A
  • 最高 IC
    2400 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    2.35 V
  • VCES / VRRM
    4500 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    2.6 V
  • 封装
    IHV B
  • 尺寸 (length)
    130 mm
  • 尺寸 (width)
    140 mm
  • 技术
    IGBT4 - L4
  • 特性
    6 kV iso
  • 最高 电压等级
    4500 V
  • 认证标准
    Traction, Industrial
  • 配置
    Single switch
推荐的
OPN
FZ1200R45HL4B8BPSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 AG-IHVB130
封装名 N/A
包装尺寸 2
包装类型 TRAY
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称 AG-IHVB130
封装名 -
包装尺寸 2
包装类型 TRAY
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IHV 4500 V、1200 A、130mm 单 IGBT 模块，采用 IGBT4 沟槽栅场截至技术 - 适用于 HVDC-VSC、牵引和工业应用的最佳解决方案。

特性

  • 低V(CEsat)
  • AlSiC 基板
  • 存储温度低至 = -40°C
  • 封装的CTI > 600

产品优势

  • 实现结构紧凑的逆变器设计
  • 低损耗
  • 标准化封装

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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