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符合RoHS标准

FZ825R33HE4D

3300 V、825 A 单开关 IGBT 模块

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FZ825R33HE4D
FZ825R33HE4D

商品详情

  • IC(nom) / IF(nom)
    825 A
  • IC max
    825 A
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    2.4 V
  • VCES / VRRM
    3300 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    2.55 V
  • Housing
    IHM B
  • Dimensions (width)
    130 mm
  • Dimensions (length)
    140 mm
  • Technology
    IGBT4 - E4
  • Features
    Enlarged Diode, 200% PC
  • Voltage Class max
    3300 V
  • Qualification
    Industrial, Traction
  • Configuration
    Single switch
OPN
FZ825R33HE4DBPSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 AG-IHVB130
封装名 N/A
包装尺寸 2
包装类型 TRAY
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称 AG-IHVB130
封装名 -
包装尺寸 2
包装类型 TRAY
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IHV-B 3300 V,3300 V,825 A 130 毫米单开关 IGBT 模块,带有 TRENCHSTOP ™ IGBT4 和发射极控制 4 二极管。针对牵引和工业应用的经验丰富的解决方案。

特性

  • 高直流稳定性
  • 高短路能力
  • 低开关损耗
  • 低 VCEsat
  • 矩形非截断 (RB-)SOA
  • Tvj op=150°C
  • 采用 AlN 衬底的 AlSiC 基板
  • 用于增强热循环
  • 防火防烟 EN45545 R22、R23 : HL3
  • CTI > 600 的封装
  • 与最先进技术相比,功率循环性能提升 2 倍
  • 加大二极管用于再生

产品优势

  • 标准化外壳:130x140x38 毫米
  • 无与伦比的动态稳健性
  • 使用寿命长
  • 2xPC = 相同使用寿命下 110% 的功率
  • 或 200% 的使用寿命
  • 或 8K 以上的安全缓冲器
  • 1:1 机械兼容:
  • 与前三代产品兼容
  • 低 FIT 率
  • UL 认证

文档

设计资源

开发者社区

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