IAUC100N04S6N022
在产
符合RoHS标准

IAUC100N04S6N022

40 V、N 通道、最大 2.2 mΩ、汽车 MOSFET、SSO8 (5x6)、OptiMOS ™ -6
数据手册
封装

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IAUC100N04S6N022
IAUC100N04S6N022
数据手册
  • Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change)
    Indonesia, Malaysia
  • Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change)
    Austria, Germany
  • 最高 ID (@25°C)
    100 A
  • QG (typ @10V)
    29 nC
  • 最高 QG (typ @10V)
    39 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    2.2 mΩ
  • 最高 VDS
    40 V
  • VGS(th) 范围
    2.2 V 至 3 V
  • VGS(th)
    2.6 V
  • VGS 范围
    2.2 V 至 3 V
  • VGS
    2.6 V
  • 封装
    PG-TDSON-8
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 技术
    OptiMOS™6
  • 推出年份
    2019
  • 极性
    N
  • 目前计划的可用性至少到
    2029
  • 认证标准
    Automotive
推荐的
OPN
IAUC100N04S6N022ATMA1
产品状态 active
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 Single SSO8
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 Single SSO8
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
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