IAUC100N10S5N040
现货，推荐
符合RoHS标准

IAUC100N10S5N040

100 V、N 通道、最大 4 mΩ、汽车 MOSFET、SSO8 (5x6)、OptiMOS ™ -5
数据手册
封装

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IAUC100N10S5N040
IAUC100N10S5N040
数据手册

商品详情

  • Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change)
    Malaysia
  • Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change)
    Austria, Germany
  • 最高 ID (@25°C)
    100 A
  • 最高 IDpuls
    400 A
  • 最高 Ptot
    167 W
  • QG (typ @10V)
    60 nC
  • 最高 QG (typ @10V)
    78 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    4 mΩ
  • 最高 RthJC
    0.9 K/W
  • 最高 VDS
    100 V
  • VGS(th) 范围
    2.2 V 至 3.8 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 封装
    single SS08 (PG-TDSON-8)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 技术
    OptiMOS™5
  • 推出年份
    2018
  • 极性
    N
  • 目前计划的可用性至少到
    2037
  • 认证标准
    Automotive
推荐的
OPN
IAUC100N10S5N040ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 Single SSO8
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 Single SSO8
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

特性

  • N沟道-增强模式-正常水平
  • 符合 AEC 要求
  • MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值
  • 100% Avalanche 测试
  • 自动光学检测可行
  • 支持 PPAP 的设备
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