现货，推荐
符合RoHS标准

IAUC120N06S5N022

60 V、N 通道、最大 2.2 mΩ、正常电平、汽车 MOSFET、SSO8 (5x6)、OptiMOS ™ -5
数据手册
封装
每件.
有存货

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IAUC120N06S5N022
IAUC120N06S5N022
每件.
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    120 A
  • QG (typ @10V)
    52 nC
  • QG (typ @10V) max
    68 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    2.2 mΩ
  • VDS max
    60 V
  • VGS(th)
    2.8 V
  • 主板类型
    Virtual Design
  • 供电电压 min
    60 V
  • 工作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 技术
    OptiMOS™-5
  • 拓扑结构
    Others
  • 推出年份
    2022
  • 极性
    N
  • 目前计划的可用性至少到
    2038
  • 目标应用程序
    Automotive
  • 系列
    MOSFET
  • 认证标准
    Automotive
  • 输入类型
    DC
  • 输出电压 max
    60 V
推荐的
OPN
IAUC120N06S5N022ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 Single SSO8
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 Single SSO8
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
适用于 60V MOSFET 的全新 OptiMOS ™ 5 技术采用行业标准单 SSO8（5x6 mm²）小尺寸封装，具有领先的性能，可提供低 RDS(on)、Qg 和栅极电容，并最大限度地减少传导和开关损耗

特性

  • 超越 AEC-Q101 的扩展资格
  • 出色的热性能
  • 低栅极电荷和 Qrr
  • 电流容量提高 20%
  • 支持 PPAP 的设备

应用

文档

文档

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