现货，推荐
符合RoHS标准

IAUMN10S5N016G

100 V、N 沟道、最大 1.6 mΩ、汽车 MOSFET、mTOLG (8x8)、OptiMOS ™ 5
数据手册
封装
每件.
有存货

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IAUMN10S5N016G
IAUMN10S5N016G
每件.
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    220 A
  • QG (typ @10V)
    142 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    1.6 mΩ
  • VDS max
    100 V
  • VGS(th)
    3 V
  • Package
    PG-HSOG-4
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Technology
    OptiMOS™-5
  • Launch year
    2024
  • Polarity
    N
  • Currently planned availability until at least
    2038
  • Qualification
    Automotive
受到推崇的
OPN
IAUMN10S5N016GAUMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-HSOG-4
封装名 mTOLG
包装尺寸 2000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 2
防潮包装 DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-HSOG-4
封装名 mTOLG
包装尺寸 2000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 2
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
OptiMOS ™ 5 100V 汽车 MOSFET 采用我们全新的 mTOLG 8x8mm2 SMD 封装。它专为满足汽车应用所需的高性能、高质量和稳健性而设计。由于其增强的 TCoB 性能，这种 mTOLG 封装 MOSFET 推荐用于铝 (Al) 芯 IMS 和铜 (Cu) 基金属基板。

特性

  • 鸥翼形导线
  • 与其他 8x8mm2 封装兼容
  • 前沿 RDS(on)
  • 快速切换时间（开启/关闭）
  • 超越 AEC-Q101 的扩展资格
  • 增强电气测试
  • 工作温度为 175°C
  • 100% Avalanche 测试
  • 支持 PPAP 的设备

产品优势

  • 增强温度循环结果
  • 推荐用于金属基材
  • 最小化传导损耗
  • 出色的切换性能
  • 高功率密度
  • 可选择使用第二个 8x8mm2
  • 专为汽车坚固性而设计
  • 高品质汽车生产

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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