IAUTN10S7N009
新品
现货，推荐
符合RoHS标准

IAUTN10S7N009

新品
100V、N 沟道、最大值 0.88 mΩ、车规级 MOSFET、TOLL (10x12)、 OptiMOS™ 7
数据手册
封装

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IAUTN10S7N009
IAUTN10S7N009
数据手册

商品详情

  • 最高 ID (@ TA=25°C)
    350 A
  • QG (typ @10V)
    187 nC
  • 最高 QG (typical)
    244 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    0.88 mΩ
  • 最高 VDS
    100 V
  • VGS(th)
    2.8 V
  • 最低 VGS(th)
    2.3 V
  • 最高 VGS(th)
    3.2 V
  • 封装
    PG-HSOF-8
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 技术
    OptiMOS™7
  • 极性
    N
  • 认证标准
    Automotive
推荐的
OPN
IAUTN10S7N009ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-HSOF-8
封装名 TOLL
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-HSOF-8
封装名 TOLL
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IAUTN10S7N009 是一款采用英飞凌先进功率半导体技术打造的车规级 MOSFET； OptiMOS™ 7 100 V。本产品采用英飞凌率先推向市场的 TOLL 10x12 mm² 封装。它专为满足汽车应用对高性能、高质量和高可靠性的要求而设计。

特性

  • 业界一流的导通电阻，RDSon
  • 优异品质因数 FOM (RDSon x Qg)
  • 开通/关断开关速度快
  • 高功率、大电流TOLL封装
  • 封装寄生电阻、寄生电感低
  • 优异的散热性能
  • 安全工作去 SOA 抗冲击可靠性高
  • 栅极阈值电压 VGS(th) 公差范围窄
  • 车规认证优于 AEC-Q101 标准
  • 强化电性筛选测试
  • 封装符合 JEDEC 标准备案

产品优势

  • 极低的通态损耗
  • 卓越的开关性能
  • 高功率密度
  • 更高的效率
  • 设计鲁棒性大幅提升
  • 非常适合并联布局
  • 可减少物料清单中 MOSFET 元件的数量
  • 车规级的品质和耐用性
  • 可备选第二供应商货源
文档

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