IAUZN04S7L046
现货，推荐
符合RoHS标准

IAUZN04S7L046

40 V、N 通道、4.59 mΩ、汽车功率 MOSFET、S3O8 (3x3)、OptiMOS ™ 7
数据手册
封装

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IAUZN04S7L046
IAUZN04S7L046
数据手册
  • Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change)
    Malaysia
  • Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change)
    Austria
  • 最高 ID (@25°C)
    60 A
  • 最高 QG (typ @10V)
    16 nC
  • QG (typ @10V)
    12 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    4.64 mΩ
  • 最高 VDS
    40 V
  • VGS(th) 范围
    1.2 V 至 1.8 V
  • VGS(th)
    1.5 V
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 技术
    OptiMOS™7
  • 推出年份
    2024
  • 极性
    N
  • 目前计划的可用性至少到
    2038
  • 认证标准
    Automotive
推荐的
OPN
IAUZN04S7L046ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSDSON-8
封装名 S3O8
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSDSON-8
封装名 S3O8
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
高电流、低 RDS(on) 功率 MOSFET，采用 3x3mm² 先进无引线封装，并配有 Cu-Clip，可实现低封装 Ron 和最小杂散电感，具有高功率密度、低传导损耗和优化的开关行为，与传统引线封装相比，其尺寸更小，非常适合汽车应用，例如配电、车身控制模块和电动机。

特性

  • 3x3 mm² 小尺寸
  • 60 A 高电流能力
  • 采用尖端 OptiMOS ™ 7 40V
  • RDS(on) 范围 1.2 mΩ – 4.9 mΩ
  • 先进的无引线封装
  • 高雪崩能力
  • SOA 坚固性
  • 支持 PPAP 的设备

产品优势

  • 最高功率和电流密度
  • 高热容量引线框架封装
  • 降低传导损耗
  • 优化切换行为
  • 与传统封装相比，外形尺寸更小
  • JEDEC 行业标准包

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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