IAUZN10S7N078
现货，推荐
符合RoHS标准

IAUZN10S7N078

100 V、N 沟道、7.8 mΩ max、车规级功率MOSFET、S3O8 (3x3)、 OptiMOS™ 7
数据手册
封装

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IAUZN10S7N078
IAUZN10S7N078
数据手册

商品详情

  • Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change)
    Malaysia
  • Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change)
    Austria, Germany
  • 最高 ID (@25°C)
    60 A
  • 最高 QG (typ @10V)
    28.9 nC
  • QG (typ @10V)
    22.2 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    7.8 mΩ
  • 最高 VDS
    100 V
  • VGS(th) 范围
    2.3 V 至 3.2 V
  • VGS(th)
    2.8 V
  • 封装
    PG-TSDSON-8
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 技术
    OptiMOS™7
  • 推出年份
    2025
  • 极性
    N
  • 目前计划的可用性至少到
    2040
  • 认证标准
    Automotive
推荐的
OPN
IAUZN10S7N078ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSDSON-8
封装名 S3O8
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSDSON-8
封装名 S3O8
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IAUZN10S7N078 是一款采用英飞凌先进功率半导体技术打造的车规级 MOSFET； OptiMOS™ 7 100 V。该产品采用无铅 3x3mm2 SMD 封装。与传统鸥翼引线封装相比，S3O8 封装采用铜夹来提供更低的封装阻抗和寄生电感。它专为满足汽车应用对高性能、高质量和可靠性的要求而设计。

特性

  • 业界最佳导通电阻，RDS(on)
  • 快速开关时间（开启/关闭）
  • 电流ID比上一代提升 50%。
  • 紧密分布的阈值电压范围，VGS(th)
  • 小型 3x3mm2 SMD 封装
  • 高雪崩电流能力
  • 高 SOA 可靠性
  • 超越 AEC-Q101 的质量要求
  • 增强电气测试
  • 封装已在 JEDEC 发布

产品优势

  • 最小化通态损耗
  • 卓越的开关性能
  • 封装尺寸小，节省PCB面积
  • 帮助实现高功率密度
  • 非常适合平行放置
  • 车规级的质量和稳健性
  • 第二来源供应商的潜力
文档

设计资源

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