ICE2QR2280G-1
在产
符合RoHS标准
无铅

ICE2QR2280G-1

数据手册
封装
评估板

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ICE2QR2280G-1
ICE2QR2280G-1
数据手册
  • 最高 ESD保护
    2 kV
  • ICC
    1.5 mA
  • 最高 Pout
    20 W
  • 最高 RDS (on)
    2.62 Ω
  • tf
    30 ns
  • tr
    30 ns
  • VCC 范围
    9.85 V 至 24 V
  • 最高 VDS
    800 V
  • 子应用程序
    Offline SMPS
  • 安装
    SMD
  • 封装
    PG-DSO-12
  • 工作温度 范围
    -25 °C 至 130 °C
  • 技术
    Gen2
  • 拓扑结构
    Flyback
  • 目标应用程序
    Power Supplies
  • 类型
    PWM controller with integrated MOSFET
  • 绿色产品
    Yes
  • 预算价格€/1k
    0.94
  • 频率范围
    Variable
推荐的
OPN
ICE2QR2280G1XUMA1
产品状态 active
英飞凌封装名称
PG-DSO-12
封装名 N/A
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-12
封装名 -
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
集成电源管理 IC，带有 800V 雪崩耐压 CoolMOS ™ 、启动单元和 QR 电流模式反激式 PWM 控制器。准 QR CoolSET ™系列继续提供设计灵活性和小型化。数字降频功能可实现非常稳定的运行，同时减少负载变化，而折返校正可将最大功率限制保持在 SMPS 设计人员所需的公差范围内。

特性

  •  集成功率 IC，具有 650V 雪崩耐压 CoolMOS ™ 、启动单元和 QR 反激式 PWM 控制器
  •  随着负载的减小，数字频率会降低
  •  具有折返校正的逐周期电流限制
  •  内置数字软启动
  •  用于最低待机功耗 (<50mW
  •  用于短路绕组和输出电压的闭锁模式
  •  增强的集成保护功能、调制栅极驱动等
  •  更低的 Vcc 关闭阈值

产品优势

  •  效率更高
  •  EMI 噪声低
  •  待机功耗低等
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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