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无铅

ICE3RBR4765JZ

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商品详情

  • ESD Protection max
    2 kV
  • ICC
    2.5 mA
  • Pout max
    15 W
  • RDS (on) max
    5.44 Ω
  • tf
    30 ns
  • tr
    30 ns
  • VCC
    10.5 V to 25 V
  • VDS max
    650 V
  • Sub Application
    Offline SMPS
  • Mounting
    THT
  • Package
    PG-DIP-7
  • Operating Temperature
    -40 °C to 130 °C
  • Switching Frequency
    65 kHz
  • Technology
    Gen3R
  • Topology
    Flyback
  • Target Application
    Power Supplies
  • Type
    PWM controller with integrated MOSFET
  • Green Product
    Yes
  • Budgetary Price €/1k
    0.77
  • Frequency Range
    65kHz fixed
OPN
ICE3RBR4765JZXKLA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
封装名 N/A
包装尺寸 2000
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
封装名 -
包装尺寸 2000
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
离线 SMPS 电流模式控制器 IC,集成 650V CoolMOS ™和启动单元,采用 DIP-7 封装。它具有更坚固的设计,可以在-40°C的温度下工作。出色的性能包括 BiCMOS 技术、有源突发模式、内置频率抖动、软栅极驱动、传播延迟补偿、内置软启动时间、内置消隐时间和可扩展消隐时间用于过载保护、外部自动重启使能功能等。

特性

  • 内置启动单元,650V 耐雪崩 CoolMOS ™
  • 主动突发模式,待机功耗最低
  • 主动突发模式下的快速负载跳变响应
  • 65kHz
  • 内部固定开关频率 针对过载、开环、V CC 欠压、过温和过压的自动重启保护模式
    内置软启动
  • 内置消隐窗口,消隐时间可扩展,适用于短时大电流 外部自动重启使能引脚
  • 最大占空比 75%
  • 电流限制总公差 ±5%
  • 内部 PWM 前沿消隐
  • BiCMOS 技术提供宽 V CC 范围
  • 内置频率抖动和软驱动,降低 EMI

产品优势

  • 最低待机功耗要求 <50mW
  • 低至 -40°C 的工作温度
  • 过载、过热、过压自动重启保护
  • 宽 VCC 范围
  • 软驱动,低 EMI

应用

文档

设计资源

开发者社区

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