现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

ICE5BR2280BZ-1

65 kHz 离线反激式和降压控制器，集成 800 V CooMOS ™超结 MOSFET，支持隔离和非隔离拓扑
数据手册
封装
每件.
有存货

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ICE5BR2280BZ-1
ICE5BR2280BZ-1
每件.
数据手册

商品详情

  • ESD Protection max
    2 kV
  • ICC
    2.04 mA
  • Pout max
    22 W
  • RDS (on) max
    2.13 Ω
  • VCC
    10.4 V to 29 V
  • VDS max
    800 V
  • Mounting
    THD
  • Operating Temperature
    -40 °C to 130 °C
  • Switching Frequency
    65 kHz
  • Topology
    Flyback, Non-isolated flyback, Buck
受到推崇的
OPN
ICE5BR2280BZ1XKLA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DIP-7
封装名 N/A
包装尺寸 2000
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DIP-7
封装名 -
包装尺寸 2000
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
由于非隔离拓扑的集成误差放大器最大限度地减少了外部 BOM，因此调节变得简单。DIP-7 封装具有高集成度，可提供全面的保护功能、频率抖动以最大限度地减少 EMI，以及随着负载的降低而降低频率以提高整体效率。最重要的是，主动突发模式可提高轻载/待机性能。

特性

  • 集成 800 V CoolMOS ™
  • Avalanche 坚固耐用的 CoolMOS ™
  • 负载相关频率降低
  • 使用 Cascode 配置启动
  • 频率抖动和软栅极驱动
  • 集成误差放大器
  • 提高引脚额定电压
  • 无锁存的全面保护
  • 可选连拍模式

产品优势

  • 系统设计简便
  • 高可靠性
  • 提高整体系统效率
  • 启动时间快
  • 低 EMI
  • 支持隔离/非隔离拓扑
  • 低待机功耗

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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