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符合RoHS标准
无铅

IDC52D75H8DA

释放英飞凌尖端 Si IGBT 技术的力量
数据手册

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IDC52D75H8DA
IDC52D75H8DA
数据手册

商品详情

  • IFn
    320 A
  • Tvj [°C]
    -40 to 185
  • VF (Tvj=185°C @200A)
    1.45 V
  • VRRM
    750 V
  • 技术
    EDT3
  • 推出年份
    2025
  • 目前计划的可用性至少到
    2035
推荐的
OPN
IDC52D75H8DAX7SA1
产品状态 active and preferred on request
英飞凌封装名称 -- --
封装名 N/A N/A
包装尺寸 1 1
包装类型 HORIZONTAL FRAME SHIPPER HORIZONTAL FRAME SHIPPER
湿度 NA N/A
防潮包装 DRY DRY
无铅 Yes No
无卤素 Yes Yes
符合RoHS标准 Yes Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称 --
封装名 -
包装尺寸 1
包装类型 HORIZONTAL FRAME SHIPPER
湿度 NA
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

产品状态 on request
英飞凌封装名称 --
封装名 -
包装尺寸 1
包装类型 HORIZONTAL FRAME SHIPPER
湿度 -
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
我们最新的 EDT3 设备提供 750 V 和 1200 V 的电压等级，为低成本高性能汽车中的主逆变器应用提供前所未有的输出电流。凭借根据特定应用要求设计和制造定制电源模块的能力，我们的 Si IGBT 和二极管解决方案将改变汽车格局，将性能、效率和可靠性提升到新的高度。

特性

  • 一流的电流密度
  • 适用于 470 V VDC 系统
  • 最高结温为 185 °C
  • 高开关速度
  • 极低的开关损耗
  • 非常紧密的参数分布
  • 双面可焊接、可烧结
  • 产品验证符合 AEC-Q101

产品优势

  • 非常适合汽车需求
  • 提供 750 V 和 1200 V 等级
  • 定制开发（按需）
  • 减少损失并增加最大值。TVJ
  • 由于模块缩小而带来成本效益
  • 系统级每安培成本低
  • 减少并行化工作量和成本
  • 高可靠性和高质量
  • 直接替换

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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