现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IDFW40E65D1E

采用 TO-247 封装的 650 V 硅功率二极管
数据手册
封装
每件.
有存货

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IDFW40E65D1E
IDFW40E65D1E
每件.
数据手册

商品详情

  • I(FSM) max
    120 A
  • IF
    40 A
  • IR max
    40 µA
  • Irrm
    11 A
  • Ptot max
    78 W
  • Qrr
    0.57 µC
  • RthJC max
    1.92 K/W
  • trr
    76 ns
  • VF
    1.7 V
  • Mounting
    THT
  • Package
    TO-247
  • Operating Temperature
    -40 °C to 175 °C
  • Voltage Class max
    650 V
  • Configuration
    Single
受到推崇的
OPN
IDFW40E65D1EXKSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-HSIP247-3
封装名 N/A
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-HSIP247-3
封装名 -
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
快速 1 开关 650 V、40 A 发射极控制硅功率二极管，采用 TO-247 高级隔离封装，提供最佳成本效益解决方案。

特性

  • 650V 发射极控制技术
  • 温度稳定性
  • 低正向电压 (VF)
  • 低反向恢复电荷 (Qrr)
  • 低反向恢复电流 (Irrm)
  • 软度系数 >1
  • 最高结温 175°C
  • 2500 VRMS 电气隔离
  • 100% 经过测试的隔离安装表面
  • 无铅电镀：符合 RoHS 标准
  • 符合工业应用要求

产品优势

  • 无需热设备
  • 装配时间减少 35%
  • 消除了隔离箔故障
  • Tc 最高可降低 10°C
  • Iout 最高可提高 20%
  • 制造过程控制
  • 易于并联

图表

Circuit_digram_IDFW40E65D1E
Circuit_digram_IDFW40E65D1E
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