IDW75E60
在产
符合RoHS标准
无铅

IDW75E60

采用 TO-247 封装的 600 V IGBT 硅功率二极管
数据手册
封装

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IDW75E60
IDW75E60
数据手册

商品详情

  • 最高 I(FSM)
    220 A
  • 最高 IF
    120 A
  • IF
    75 A
  • 最高 IR
    40 µA
  • Irrm
    38.5 A
  • 最高 Ptot
    300 W
  • Qrr
    0.24 µC
  • 最高 RthJC
    0.5 K/W
  • trr
    121 ns
  • 最高 VF
    1.65 V
  • VF
    1.65 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO-247
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 最高 电压等级
    600 V
  • 配置
    Single
推荐的
OPN
IDW75E60FKSA1
产品状态 active
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
采用 TO-247 封装的 600 V、75 A 发射极控制硅功率二极管主要用于高达 30kHz 的电机驱动应用。

特性

  • 最低 VF 值
  • 非常软的二极管
  • Tj（最大值）为 175°C
  • 符合 JEDEC 标准
  • 冷却封装和更高效率
  • 出色的 EMI 行为
  • 出色的成本/性能。权衡
  • 低传导损耗
  • 易于并联
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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