IG1C052N10RCDV
现货，推荐
符合RoHS标准

IG1C052N10RCDV

Rad hard, 100 V, 52 A, GaN transistor bare die
数据手册

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IG1C052N10RCDV
IG1C052N10RCDV
数据手册

  • ESD等级
    Class 1C
  • 最高 ID (@25°C)
    52 A
  • QG
    13 nC
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    6 mΩ
  • 最高 TID
    500 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • 最高 VF
    3.9 V
  • 产品组
    Rad hard GaN FETs
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    500
  • 封装
    Die
  • 极性
    N
  • 生成
    Gen 1
  • 系列
    Rad hard GaN FET
  • 质量等级
    Visual inspection

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 --
封装名 N/A
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称 --
封装名 -
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IR HiRel rad hard GaN transistor technology provides high performance power devices for space applications. These devices have been characterized for both Total Ionizing Dose (TID) and Single Event Effects (SEE). This device, IG1C052N10RCDV, is in a bare die package and has a 100% visual inspection only screening level.

特性

  • Single event effect (SEE) hardened
  • Ultra low RDS(on)
  • Low total gate charge
  • Zero reverse recovery charge
  • Hermetically sealed ceramic package
  • Surface mount
  • Light weight
  • Bare die
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