IGB03N120S7
现货，推荐
符合RoHS标准

IGB03N120S7

1200 V、3 A IGBT7 S7，采用 TO-263-3 引脚封装
数据手册
封装

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IGB03N120S7
IGB03N120S7
数据手册

商品详情

  • Eoff
    0.27 mJ
  • Eon
    0.29 mJ
  • 最高 IC (@ 25°)
    9 A
  • 最高 IC (@ 100°)
    5 A
  • 最高 ICpuls
    9 A
  • 最高 Ptot
    37 W
  • QGate
    24 nC
  • td(off)
    142 ns
  • td(on)
    18 ns
  • tf
    272 ns
  • tr
    18 ns
  • tSC
    8 µs
  • VCE(sat)
    2 V
  • 最高 VCE
    1200 V
  • VGE(th)
    5.7 V
  • 封装
    PG-TO263-3
  • 开关频率 范围
    2 kHz 至 20 kHz
  • 技术
    TRENCHSTOP™ IGBT7
推荐的
OPN
IGB03N120S7ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
硬开关 1200 V、3 A 单TRENCHSTOP ™ IGBT7 S7分立器件，采用 TO-263 封装，提供低 VCEsat，可在目标应用中实现非常低的传导损耗。

特性

  • VCE = 1200 V
  • 我C = 3A
  • Tvj = 150°C 时低 VCEsat = 2 V
  • 短路耐用性 8 µs
  • 广泛的 dv/dt 可控性

产品优势

  • 高压紧凑设计。辅助电源
  • 降低 EMI 电磁干扰
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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