现货，推荐
符合RoHS标准

IGB10N60T

600 V、15 A IGBT 分立器件，采用 TO263 封装
数据手册
封装
每件.
有存货

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IGB10N60T
IGB10N60T
每件.
数据手册

商品详情

  • Eoff (Hard Switching)
    0.27 mJ
  • Eon
    0.16 mJ
  • IC (@ 100°) max
    18 A
  • IC (@ 25°) max
    24 A
  • ICpuls max
    30 A
  • Ptot max
    110 W
  • QGate
    62 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    23 Ω
  • td(off)
    233 ns
  • td(on)
    10 ns
  • tf
    63 ns
  • tr
    11 ns
  • tSC
    5 µs
  • VCE(sat)
    1.5 V
  • VCE max
    600 V
  • Package
    D2PAK (TO-263-3)
  • Switching Frequency
    2 kHz to 20 kHz
  • Technology
    IGBT TRENCHSTOP™
  • Soft Switching
    No
受到推崇的
OPN
IGB10N60TATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
采用 TO263 D2Pak 封装的硬开关 600 V、10 A 单个 TRENCHSTOP ™ IGBT3 分立器件，由于结合了沟槽单元和场终止概念，可显著提高器件的静态和动态性能。IGBT 与软恢复发射极控制二极管的组合可进一步最大限度地减少开通损耗。 平衡了开关损耗和导通损耗的最佳方案，因此可以实现最高效率。

特性

  • 最低 VCEsat 压降
  • 低开关损耗
  • 正温度。系数。在 VCEsat
  • 易于并联切换
  • 非常柔软的反并联二极管
  • 高耐用性
  • 温度稳定性
  • 低 EMI 辐射
  • 低栅极电荷
  • 非常紧密的参数分布

产品优势

  • 最高效率
  • 全面的产品组合
  • 高设备可靠性
  • 低传导和开关损耗

应用

图表

without_diode
without_diode
without_diode without_diode without_diode
×
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文档

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