IGB15N60T
在产
符合RoHS标准

IGB15N60T

600 V、15 A IGBT 分立器件，采用 TO263 封装
数据手册
封装

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IGB15N60T
IGB15N60T
数据手册

商品详情

  • Eoff (Hard Switching)
    0.35 mJ
  • Eon
    0.22 mJ
  • 最高 IC (@ 100°)
    23 A
  • 最高 IC (@ 25°)
    26 A
  • 最高 ICpuls
    45 A
  • 最高 Ptot
    130 W
  • QGate
    87 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    15 Ω
  • td(off)
    188 ns
  • td(on)
    17 ns
  • tf
    50 ns
  • tr
    11 ns
  • tSC
    5 µs
  • VCE(sat)
    1.5 V
  • 最高 VCE
    600 V
  • 封装
    D2PAK (TO-263-3)
  • 开关频率
    TRENCHSTOP™ 2-20 kHz
  • 开关频率 范围
    2 kHz 至 20 kHz
  • 技术
    IGBT TRENCHSTOP™
推荐的
OPN
IGB15N60TATMA1
产品状态 active
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
采用 TO263 D2Pak 封装的硬开关 600 V、15 A 单个 TRENCHSTOP ™ IGBT3，由于结合了沟槽单元和场终止概念，可显著提高器件的静态和动态性能。IGBT 与软恢复发射极控制二极管的组合可进一步最大限度地减少开通损耗。 平衡了开关损耗和导通损耗的最佳方案，因此可以实现最高效率。

特性

  • 最低 VCEsat 压降
  • 低开关损耗
  • 正温度。科埃菲。在 VCEsat
  • 轻松并行开关能力
  • 非常软轧的二极管
  • 高耐用性
  • 温度稳定性能
  • 低 EMI 辐射
  • 低栅极电荷
  • 非常严格的参数分布

产品优势

  • 最高效率
  • 全面的产品组合
  • 高设备可靠性
  • 低传导和开关损耗

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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