IGB50N65H5
不建议用于新设计
符合RoHS标准

IGB50N65H5

650 V、50 A IGBT，带反并联二极管，采用 TO-263 封装
数据手册
封装

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IGB50N65H5
IGB50N65H5
数据手册


商品详情

  • Eoff (Hard Switching)
    0.18 mJ
  • Eon
    1.59 mJ
  • 最高 IC (@ 25°)
    80 A
  • 最高 IC (@ 100°)
    53.7 A
  • 最高 ICpuls
    150 A
  • 最高 Ptot
    105 W
  • QGate
    120 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    12 Ω
  • td(off)
    117 ns
  • td(on)
    12 ns
  • tf
    30 ns
  • tr
    14 ns
  • VCE(sat)
    1.35 V
  • 最高 VCE
    650 V
  • 封装
    PG-TO263-3
  • 开关频率
    TRENCHSTOP™ 2-20 kHz
  • 开关频率 范围
    2 kHz 至 20 kHz
  • 技术
    IGBT TRENCHSTOP™ 5

OPN
IGB50N65H5ATMA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
MY
晶圆产地
DE

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
MY
晶圆产地
DE
采用 D2Pak (TO-263) 封装的高速 650 V、50 A 硬开关 TRENCHSTOP ™ 5 IGBT，通过为硬开关应用提供无与伦比的效率性能，重新定义了“同类最佳” IGBT。

特性

  • 650 V 击穿电压
  • 与高速 3 系列相比：
  • Qg
  • 因子 2.5 较低 g 因子 2 降低开关。损失
  • 200 mV 降低 VCE(sat)
  • 与快速硅二极管共同包装
  • 低 COES/EOSS
  • 温和的正极。温度。 系数 VCEsat
  • Vf
  • 的温度稳定性
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