在产
符合RoHS标准
无铅

IGC193T120T8RM

数据手册

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IGC193T120T8RM
IGC193T120T8RM
数据手册

商品详情

  • IC max
    200 A
  • VCE(sat) max
    1.3 V
  • VCE max
    1200 V
  • VDS max
    1200 V
  • VGE(th)
    5.3 V to 6.3 V
  • Operating Temperature
    -40 °C to 175 °C
  • Technology
    IGBT4 Medium Power
受到推崇的
OPN
IGC193T120T8RMX1SA1
产品状态 active
英飞凌封装名称 --
封装名 N/A
包装尺寸 1
包装类型 WAFER SAWN
湿度 N/A
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称 --
封装名 -
包装尺寸 1
包装类型 WAFER SAWN
湿度 -
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
我们的 TRENCHSTOP™ IGBT 结合了独特的沟槽和场截止技术，是行业的标杆

特性

  • 1200 V TRENCHSTOP ™技术
  • 1200 V fieldstop 技术
  • 低开关损耗
  • 软关断
  • 正温度系数
  • 易于并联

文档

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设计资源

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