IGC50T120T8RL

1200V功率IGBT芯片

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IGC50T120T8RL
IGC50T120T8RL

商品详情

  • IC max
    50 A
  • VCE(sat) max
    2.07 V
  • VCE max
    1200 V
  • VDS max
    1200 V
  • VGE(th)
    5.3 V to 6.3 V
  • Operating Temperature
    -40 °C to 175 °C
  • Technology
    IGBT4 Low Power
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
我们的 TRENCHSTOP™ IGBT 结合了独特的沟槽和场截止技术,是行业的标杆

特性

  • 1200 V TRENCHSTOP ™技术
  • 1200 V fieldstop 技术
  • 低开关损耗
  • 正温度系数
  • 易于并联

应用

文档

设计资源

开发者社区

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