IGC50T120T8RL

IGC50T120T8RL

1200V功率IGBT芯片

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IGC50T120T8RL
IGC50T120T8RL


商品详情

  • 最高 IC
    50 A
  • 最高 VCE(sat)
    2.07 V
  • 最高 VCE
    1200 V
  • 最高 VDS
    1200 V
  • VGE(th) 范围
    5.3 V 至 6.3 V
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 175 °C
  • 技术
    IGBT4 Low Power

OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
我们的 TRENCHSTOP™ IGBT 结合了独特的沟槽和场截止技术,是行业的标杆

特性

  • 1200 V TRENCHSTOP ™技术
  • 1200 V fieldstop 技术
  • 低开关损耗
  • 正温度系数
  • 易于并联

应用

文档

设计资源

开发者社区