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符合RoHS标准
无铅

IGC50T120T8RQ

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IGC50T120T8RQ
IGC50T120T8RQ

商品详情

  • IC max
    50 A
  • VCE(sat) max
    2.42 V
  • VCE max
    1200 V
  • VDS max
    1200 V
  • VGE(th)
    5.3 V to 6.3 V
  • Operating Temperature
    -40 °C to 175 °C
  • Technology
    IGBT HighSpeed 3
OPN
IGC50T120T8RQX1SA1
产品状态 active
英飞凌封装名称 --
封装名 N/A
包装尺寸 1
包装类型 WAFER SAWN
湿度 N/A
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称 --
封装名 -
包装尺寸 1
包装类型 WAFER SAWN
湿度 -
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
英飞凌的 HighSpeed 3 系列在 25kHz 至 70kHz 频率范围内实现了开关损耗和传导损耗之间的最佳平衡。该系列的主要特点是类似 MOSFET 的关断开关行为,从而实现较低的关断损耗。

特性

  • 正温度系数
  • 易于并联

应用

文档

设计资源

开发者社区

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