IGW50N65H5
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IGW50N65H5

采用 TO-247 封装的 650 V IGBT
数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IGW50N65H5
IGW50N65H5
数据手册

商品详情

  • Eoff (Hard Switching)
    0.18 mJ
  • Eon
    0.52 mJ
  • 最高 IC (@ 100°)
    56 A
  • 最高 IC (@ 25°)
    80 A
  • 最高 ICpuls
    150 A
  • 最高 Ptot
    305 W
  • QGate
    120 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    12 Ω
  • td(off)
    180 ns
  • td(on)
    21 ns
  • tf
    18 ns
  • tr
    15 ns
  • VCE(sat)
    1.65 V
  • 最高 VCE
    650 V
  • 封装
    TO-247
  • 开关频率
    TRENCHSTOP™5 30-100 kHz
  • 开关频率 范围
    30 kHz 至 100 kHz
  • 技术
    IGBT TRENCHSTOP™ 5
推荐的
OPN
IGW50N65H5FKSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
采用 TO-247 封装的 650 V、50 A 硬开关 IGBT TRENCHSTOP ™ 5 通过在硬开关应用的效率方面提供无与伦比的性能，重新定义了“同类最佳” IGBT。该系列是 IGBT 创新的重大突破，可满足未来市场对高效率的需求。

特性

  • 650 V 击穿电压
  • 与 HighSpeed 3 系列相比：
  • Qg
  • 开关损耗降低 2 倍
  • VCE(sat)
  • 降低 200 mV
  • 低 COES/EOSS
  • 温和的正温度。系数
  • Vf
的温度稳定性
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }