IKB10N60T
在产
符合RoHS标准

IKB10N60T

600 V、10 A IGBT 分立器件，带反并联二极管，采用 TO-263 封装
数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IKB10N60T
IKB10N60T
数据手册

商品详情

  • Eoff (Hard Switching)
    0.27 mJ
  • Eon
    0.16 mJ
  • 最高 IC (@ 100°)
    18 A
  • 最高 IC (@ 25° )
    24 A
  • 最高 ICpuls
    30 A
  • 最高 IF
    20 A
  • 最高 IFpuls
    30 A
  • Irrm
    10 A
  • 最高 Ptot
    110 W
  • QGate
    62 nC
  • Qrr
    380 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    23 Ω
  • td(off)
    215 ns
  • td(on)
    12 ns
  • tf
    38 ns
  • tr
    8 ns
  • tSC
    5 µs
  • VCE(sat)
    1.5 V
  • 最高 VCE
    600 V
  • VF
    1.6 V
  • 封装
    D2PAK (TO-263-3)
  • 开关频率
    TRENCHSTOP™ 2-20 kHz
  • 开关频率 范围
    2 kHz 至 20 kHz
  • 技术
    IGBT TRENCHSTOP™
  • 软切换
    No
推荐的
OPN
IKB10N60TATMA1
产品状态 active
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
硬开关 600 V、10 A TRENCHSTOP ™ IGBT3 与软、快速恢复反并联发射极控制二极管共同封装在 TO-263-3 D2Pak 封装中，由于结合了沟槽单元和场终止概念，可显著提高器件的静态和动态性能。

特性

  • 最低 VCEsat 压降
  • 低开关损耗
  • 正温度。科埃菲。在 VCEsat
  • 轻松并行开关能力
  • 非常软轧的二极管
  • 高耐用性
  • 温度稳定性能
  • 低 EMI 辐射
  • 低栅极电荷
  • 非常严格的参数分布

产品优势

  • 最高效率
  • 全面的产品组合
  • 高设备可靠性
  • 低传导和开关损耗
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }