现货，推荐
符合RoHS标准

IKB10N60T

600 V、10 A IGBT 分立器件，带反并联二极管，采用 TO-263 封装
数据手册
封装
每件.
有存货

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IKB10N60T
IKB10N60T
每件.
数据手册

商品详情

  • Eoff (Hard Switching)
    0.27 mJ
  • Eon
    0.16 mJ
  • IC (@ 100°) max
    18 A
  • IC (@ 25° ) max
    24 A
  • ICpuls max
    30 A
  • IF max
    20 A
  • IFpuls max
    30 A
  • Irrm
    10 A
  • Ptot max
    110 W
  • QGate
    62 nC
  • Qrr
    380 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    23 Ω
  • td(off)
    215 ns
  • td(on)
    12 ns
  • tf
    38 ns
  • tr
    8 ns
  • tSC
    5 µs
  • VCE(sat)
    1.5 V
  • VCE max
    600 V
  • VF
    1.6 V
  • 封装
    D2PAK (TO-263-3)
  • 开关频率
    2 kHz to 20 kHz
  • 技术
    IGBT TRENCHSTOP™
  • 软切换
    No
推荐的
OPN
IKB10N60TATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
硬开关 600 V、10 A TRENCHSTOP ™ IGBT3 与软、快速恢复反并联发射极控制二极管共同封装在 TO-263-3 D2Pak 封装中，由于结合了沟槽单元和场终止概念，可显著提高器件的静态和动态性能。

特性

  • 最低 VCEsat 压降
  • 低开关损耗
  • 正温度。科埃菲。在 VCEsat
  • 轻松并行开关能力
  • 非常软轧的二极管
  • 高耐用性
  • 温度稳定性能
  • 低 EMI 辐射
  • 低栅极电荷
  • 非常严格的参数分布

产品优势

  • 最高效率
  • 全面的产品组合
  • 高设备可靠性
  • 低传导和开关损耗

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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