IKFW50N60DH3
在产
符合RoHS标准
无铅

IKFW50N60DH3

600 V、40 A IGBT，带反并联二极管，采用 TO-247 封装
数据手册
封装

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IKFW50N60DH3
IKFW50N60DH3
数据手册

商品详情

  • Eoff (Hard Switching)
    0.62 mJ
  • Eon
    1.22 mJ
  • 最高 IC (@ 25°)
    53 A
  • 最高 ICpuls
    160 A
  • 最高 IF
    40 A
  • 最高 IFpuls
    160 A
  • Irrm
    11.7 A
  • 最高 Ptot
    145 W
  • QGate
    210 nC
  • Qrr
    0.51 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    8 Ω
  • td(off)
    212 ns
  • td(on)
    25 ns
  • tf
    35 ns
  • tSC
    5 µs
  • VCE(sat) (Tvj=25°C typ)
    1.85 V
  • 最高 VCE
    600 V
  • 最高 VF (Tvj=25°C typ)
    1.75 V
  • VF (Tvj=25°C typ)
    1.45 V
  • VF
    1.45 V
  • 封装
    PG-TO247-3
  • 开关频率
    TRENCHSTOP™ 18 - 60 kHz
  • 开关频率 范围
    18 kHz 至 60 kHz
  • 技术
    IGBT HighSpeed 3
推荐的
OPN
IKFW50N60DH3XKSA1
产品状态 active
英飞凌封装名称
PG-HSIP247-3
封装名 TO-247-3 advanced isolation
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-HSIP247-3
封装名 TO-247-3 advanced isolation
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
快速开关 600 V、40 A 高速第三代 TRENCHSTOP ™ IGBT 与 Rapid 1 快速软反并联二极管一起封装在先进的隔离封装中。

特性

  • 短路耐受时间 5μs
  • Tvj = 175°C
  • Pos.温度。 VCE(sat) 系数
  • 低 EMI
  • 非常软、快速恢复的二极管
  • 最高结温 175°C
  • 2500 VRMS电气隔离。
  • 100% 经过隔离测试。表面
  • 无铅电镀
  • 符合 RoHS 规定
  • 符合要求。JEDEC 47/20/22
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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