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IKP08N65H5
停产
已停产
符合RoHS标准
无铅

IKP08N65H5

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650 V、8 A IGBT，带反并联二极管，采用 TO-220 封装
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封装
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IKP08N65H5
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商品详情

  • Eoff (Hard Switching)
    0.03 mJ
  • Eon
    0.07 mJ
  • 最高 IC (@ 100°)
    11 A
  • 最高 IC (@ 25° )
    18 A
  • 最高 ICpuls
    24 A
  • 最高 IF
    20 A
  • 最高 IFpuls
    24 A
  • Irrm
    6.8 A
  • 最高 Ptot
    70 W
  • QGate
    22 nC
  • Qrr
    130 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    48 Ω
  • td(off)
    115 ns
  • td(on)
    11 ns
  • tf
    15 ns
  • tr
    5 ns
  • VCE(sat)
    1.65 V
  • 最高 VCE
    650 V
  • VF
    1.45 V
  • 封装
    TO-220-3
  • 开关频率
    TRENCHSTOP™5 30-100 kHz
  • 开关频率 范围
    30 kHz 至 100 kHz
  • 技术
    IGBT TRENCHSTOP™ 5

OPN
IKP08N65H5XKSA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO220-3
封装名 TO220
封装尺寸 500
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN
晶圆产地
DE
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO220-3
封装名 TO220
封装尺寸 500
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN
晶圆产地
DE
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高速 650 V、8 A TRENCHSTOP ™ 5 快速 IGBT，采用 TO-220 封装，与快速柔软 RAPID 1 反并联二极管共同封装。

特性

  • 650 V 击穿电压
  • 与 HighSpeed 3 系列相比：
  • Qg
  • 开关损耗降低 2 倍
  • VCE(sat)
  • 降低 200 mV
  • 与快速硅二极管共同封装
  • 低 COES/EOSS
  • 温和的正温度。系数
  • Vf
的温度稳定性
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