不建议用于新设计
符合RoHS标准
无铅

IKP08N65H5

650 V、8 A IGBT，带反并联二极管，采用 TO-220 封装
数据手册
封装
每件.
有存货

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IKP08N65H5
IKP08N65H5
每件.
数据手册

商品详情

  • Eoff (Hard Switching)
    0.03 mJ
  • Eon
    0.07 mJ
  • IC (@ 100°) max
    11 A
  • IC (@ 25° ) max
    18 A
  • ICpuls max
    24 A
  • IF max
    20 A
  • IFpuls max
    24 A
  • Irrm
    6.8 A
  • Ptot max
    70 W
  • QGate
    22 nC
  • Qrr
    130 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    48 Ω
  • td(off)
    115 ns
  • td(on)
    11 ns
  • tf
    15 ns
  • tr
    5 ns
  • VCE(sat)
    1.65 V
  • VCE max
    650 V
  • VF
    1.45 V
  • Package
    TO-220-3
  • Switching Frequency
    30 kHz to 100 kHz
  • Technology
    IGBT TRENCHSTOP™ 5
OPN
IKP08N65H5XKSA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TO220-3
封装名 TO220
包装尺寸 500
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TO220-3
封装名 TO220
包装尺寸 500
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
高速 650 V、8 A TRENCHSTOP ™ 5 快速 IGBT，采用 TO-220 封装，与快速柔软 RAPID 1 反并联二极管共同封装。

特性

  • 650 V 击穿电压
  • 与 HighSpeed 3 系列相比：
  • Qg
  • 开关损耗降低 2 倍
  • VCE(sat)
    • 降低 200 mV
  • 与快速硅二极管共同封装
  • 低 COES/EOSS
  • 温和的正温度。系数
  • Vf
的温度稳定性

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