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无铅

IKP40N65H5

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封装

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IKP40N65H5
IKP40N65H5
数据手册

商品详情

  • Eoff (Hard Switching)
    0.12 mJ
  • Eon
    0.39 mJ
  • IC (@ 100°) max
    46 A
  • IC (@ 25° ) max
    74 A
  • ICpuls max
    120 A
  • IF max
    36 A
  • IFpuls max
    120 A
  • Irrm
    12.5 A
  • Ptot max
    255 W
  • QGate
    95 nC
  • Qrr
    450 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    15 Ω
  • td(off)
    165 ns
  • td(on)
    22 ns
  • tf
    13 ns
  • tr
    12 ns
  • VCE(sat)
    1.65 V
  • VCE max
    650 V
  • VF
    1.45 V
  • 封装
    TO-220-3
  • 开关频率
    30 kHz to 100 kHz
  • 技术
    IGBT TRENCHSTOP™ 5
OPN
IKP40N65H5XKSA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO220-3
封装名 TO220
包装尺寸 500
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TO220-3
封装名 TO220
包装尺寸 500
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
高速 650 V、40 A 硬开关 TRENCHSTOP ™ IGBT5 与 RAPID 1 快速和软反并联二极管共同封装在 TO-247 封装中，被定义为“同类最佳” IGBT。

特性

  • 650 V 击穿电压
  • 与 HighSpeed 3 系列相比：
  • Qg
  • 开关损耗降低 2 倍
  • VCE(sat)
    • 降低 200 mV
  • 与快速硅二极管共同封装
  • 低 COES/EOSS
  • 温和的正温度。系数
  • Vf
的温度稳定性

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