IKQ40N120CH3
在产
符合RoHS标准
无铅

IKQ40N120CH3

1200 V、40 A IGBT，带反并联二极管，采用 TO-247PLUS 封装
数据手册
封装

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IKQ40N120CH3
IKQ40N120CH3
数据手册

商品详情

  • Eoff (Hard Switching)
    1.3 mJ
  • Eon
    3.3 mJ
  • 最高 IC (@ 100°)
    40 A
  • 最高 IC (@ 25° )
    80 A
  • 最高 ICpuls
    160 A
  • 最高 IF
    40 A
  • 最高 IFpuls
    160 A
  • Irrm
    19 A
  • 最高 Ptot
    500 W
  • QGate
    190 nC
  • Qrr
    3600 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    12 Ω
  • td(off)
    300 ns
  • td(on)
    30 ns
  • tf
    46 ns
  • tr
    46 ns
  • tSC
    10 µs
  • VCE(sat)
    2 V
  • 最高 VCE
    1200 V
  • VF
    1.9 V
  • 封装
    TO-247-3
  • 开关频率
    18-60 kHz
  • 开关频率 范围
    18 kHz 至 60 kHz
  • 技术
    IGBT HighSpeed 3
推荐的
OPN
IKQ40N120CH3XKSA1
产品状态 active
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 PLUS
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 PLUS
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
采用 TO-247PLUS 封装的硬开关 1200 V、40 A 高速 IGBT3，带有软、快速反并联发射极控制二极管。

特性

  • 75 A、1200 V IGBT
  • 与 75 A 二极管共同封装
  • TO-247 封装
  • 更低 Rth(jh)
  • 外部。集电极-发射极引脚爬电距离
  • 延长夹片爬电距离
  • 完全封装的正面
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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