现货,推荐
符合RoHS标准
无铅

IKW20N65ET7

650 V、20 A IGBT,带反并联二极管,采用 TO-247 封装
每件.
有存货

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IKW20N65ET7
IKW20N65ET7
每件.

商品详情

  • Eoff (Hard Switching)
    0.36 mJ
  • Eon
    0.36 mJ
  • IC (@ 25°) max
    40 A
  • IC (@ 100°) max
    27.5 A
  • ICpuls max
    60 A
  • IF max
    40 A
  • IFpuls max
    60 A
  • Irrm
    14 A
  • Ptot max
    136 W
  • QGate
    128 nC
  • Qrr
    440 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    12 Ω
  • td(off)
    235 ns
  • td(on)
    15 ns
  • tf
    18 ns
  • tr
    6 ns
  • VCE(sat)
    1.35 V
  • VCE max
    650 V
  • VF
    1.65 V
  • Package
    TO-247-3
  • Switching Frequency
    5 kHz to 40 kHz
  • Technology
    TRENCHSTOP™ IGBT7
OPN
IKW20N65ET7XKSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 N/A
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 -
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
硬开关 650 V、20 A TRENCHSTOP ™ IGBT7 分立器件,采用 TO-247 封装,内部带有软 EC7 二极管。该价格性能优化系列具有出色的可控性,可实现更好的 EMI,同时开关损耗低于以前的技术。

特性

  • 极低 VCEsat
  • 低关断损耗
  • 短尾电流
  • 降低 EMI
  • 耐湿设计
  • 非常软的反并联二极管
  • 最高结温 175°C
  • 符合 JEDEC 标准
  • 无铅电镀:符合 RoHS 标准

文档

设计资源

开发者社区

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