IKW40N60DTP
不建议用于新设计
符合RoHS标准
无铅

IKW40N60DTP

600 V、40 A IGBT 分立器件，带反并联二极管，采用 TO-247 封装
数据手册
封装

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IKW40N60DTP
IKW40N60DTP
数据手册


商品详情

  • Eoff (Hard Switching)
    1.05 mJ
  • Eon
    1.63 mJ
  • 最高 IC (@ 25°)
    67 A
  • 最高 IC (@ 100°)
    48 A
  • 最高 ICpuls
    120 A
  • 最高 IF
    58 A
  • 最高 IFpuls
    120 A
  • Irrm
    18.3 A
  • 最高 Ptot
    246 W
  • QGate
    177 nC
  • Qrr
    1520 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    10.1 Ω
  • td(off)
    273 ns
  • td(on)
    19 ns
  • tf
    47 ns
  • tr
    30 ns
  • tSC
    5 µs
  • VCE(sat)
    1.6 V
  • 最高 VCE
    600 V
  • VF
    1.45 V
  • VGE(th) 范围
    4.1 V 至 5.7 V
  • 封装
    TO-247-3
  • 开关频率
    TRENCHSTOP™Performance 2-30 kHz
  • 开关频率 范围
    2 kHz 至 30 kHz
  • 技术
    IGBT TRENCHSTOP™ Perf.

OPN
IKW40N60DTPXKSA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN
晶圆产地
MY

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
PG-TO247-3
封装名 TO247
封装尺寸 240
封装类型 TUBE
湿度 NA
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN
晶圆产地
MY
硬开关 600 V、40 A TRENCHSTOP ™性能 IGBT 带有 RAPID1 快速反并联二极管，采用 TO-247 封装，结合了导通和关断能量之间的最佳平衡、出色的稳健性和优异的 EMI 行为。

特性

  • 极低的 VCEsat
  • 低关断损耗
  • 短尾电流
  • 低 EMI
  • 最高结温 175°C
文档

设计资源

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